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                            BSS84LT1G

                            发布时间:2019/3/12 11:00:00 访问次数:104 发布企业:深圳市嘉轩电子科技有限公司

                            数据列表 B(V)SS84L Datasheet;
                            标准包装 3,000
                            包装 标准卷带
                            零件状态 在售
                            类别 分立半导体产品
                            产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                            系列 -


                            规格
                            FET 类型 P 沟道
                            技术 MOSFET(金属氧化物)
                            漏源电压(Vdss) 50V
                            电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130mA(Ta)
                            驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
                            不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 10 欧姆 @ 100mA,5V
                            不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
                            Vgs(最大值) ±20V
                            不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 5V
                            FET 功能 -
                            功率耗散(最大值) 225mW(Ta)
                            工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
                            安装类型 表面贴装
                            供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
                            封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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