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                            發布時間:2019/3/12 10:58:00 訪問次數:90 發布企業:深圳市諾美思科技有限公司

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                            規格 FET 類型 N 溝道 技術 MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss) 150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 21A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 8V,10V 不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值) 52 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值) 12nC @ 10V Vgs(最大值) ±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 890pF @ 75V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 57W(Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型 表面貼裝 供應商器件封裝 PG-TDSON-8-5 封裝/外殼 8-PowerTDFN

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