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                            发布时间:2019/3/12 10:58:00 访问次数:108 发布企业:深圳市诺美思科技有限公司

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                            标准包装 5,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 OptiMOS™
                            规格 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 8V,10V 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 52 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 12nC @ 10V Vgs(最大值) ±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 75V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 57W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 PG-TDSON-8-5 封装/外壳 8-PowerTDFN

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